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SD1100C32C

产品描述1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小153KB,共7页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SD1100C32C概述

1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

SD1100C32C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明O-CEDB-N2
针数2
Reach Compliance Codecompli
Factory Lead Time18 weeks
其他特性HIGH SURGE CAPABILITY
应用HIGH VOLTAGE HIGH POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JESD-30 代码O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流11000 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流1100 A
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压3200 V
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置END
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

SD1100C32C相似产品对比

SD1100C32C SD1100C12C SD1100C30C
描述 1100 A, 3200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1400 A, 1200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 1100 A, 3000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
包装说明 O-CEDB-N2 ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-43, PUK-2 ROHS COMPLIANT, CERAMIC, B-43, PUK-2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code compli compli compli
Factory Lead Time 18 weeks 18 weeks 18 weeks
其他特性 HIGH SURGE CAPABILITY HIGH SURGE CAPABILITY HIGH SURGE CAPABILITY
应用 HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER HIGH VOLTAGE HIGH POWER
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.4 V 1.9 V 1.4 V
JESD-30 代码 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2 O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流 11000 A 13600 A 11000 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 180 °C 150 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
最大输出电流 1100 A 1400 A 1100 A
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 3200 V 1200 V 3000 V
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 END END END
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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