电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SB350B-G

产品描述3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小53KB,共3页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SB350B-G概述

3 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD

SB350B-G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Comchip Technology
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.7 V
JEDEC-95代码DO-201AD
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流80 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
Leaded Schottky Barrier Rectifiers
Comchip
SMD Diode Specialist
SB320-G Thru. SB3100-G
Voltage: 20 to 100 V
Current: 3.0 A
RoHS Device
DO-201AD
Features
-Low
drop down voltage.
-Metal-Semiconductor junction with guard ring
-High
surge current capability
-Silicon
epitaxial planar chips.
-For use in low voltage, high efficiency inverters,
free wheeling, and polarity protection applications
-Lead-free
part, meet RoHS requirements.
0.375(9.5)
0.287(7.3)
1.0(25.4) Min.
0.210(5.3)
0.189(4.8)
Mechanical data
-Epoxy:
UL94-V0 rated flame retardant
-Case:
Molded plastic body DO-201AD
-Terminals:
Solderable per MIL-STD-750 Method 2026
-Polarity:
Color band denotes cathode end
-Mounting
Position: Any
-Weight:
1.12grams
0.052(1.30)
0.048(1.20)
1.0(25.4) Min.
Dimensions in inches and (millimeter)
Electrical Characteristics (at T
A
=25°C unless otherwise noted)
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Parameter
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375” (9.5mm) lead length at TA=100°C, See Figure 1
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
SB
320-G
20
14
20
SB
340-G
40
28
40
SB
345-G
45
30
45
SB
350-G
50
35
50
3.0
SB
360-G
60
42
60
SB
380-G
80
56
80
SB
3100-G
100
70
100
Unit
V
V
V
A
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
TL=110°C
I
FSM
V
F
80
A
V
mA
Maximum forward voltage at 3.0A
Maximum DC reverse current
At rated DC blocking voltage
T
A
=25°C
T
A
=100°C
0.50
0.5
0.70
0.85
I
R
20
C
J
R
θJA
R
θJL
T
J
T
STG
-55 to +125
-55 to +150
250
40.0
20.0
-55 to +150
10
90
Typical junction capacitance (Note 1)
Typical t
hermal resistance
(Note 2)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTES:
pF
°C/W
°C
°C
1.
Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
.
2. Thermal resistance junction to ambient and junction to lead.
REV:B
QW-BB024
Page 1
Comchip Technology CO., LTD.
读取通话记录的问题
我用下面的代码实现读取通话记录,程序执行下来没有错误,也能返回所有的通话条数,但是hr=PhoneGetCallLogEntry(h,&pCall);方法把每一条数据放在pCall中时,我通过监视发现pCall中的数据都是空 ......
hsfnwpu 嵌入式系统
只有程序员能懂的笑话
四五个程序员中午引起去吃饭,服务员把菜单往卓上一放,“想吃什么自己点!”,一个哥们小帅说少喝点啤酒吧,另一哥们光明顶说:“下午干活呢不能喝“。于是小帅在菜单上将 ......
bigbat 聊聊、笑笑、闹闹
at91SAM6300i 的时钟频率选择问题!
在移植uCOS-ii的时候,目标板是SAM6300i,MCU是AT91sam9263,现在想写一个测试程序,但是不知道怎么选择时钟频率,哪位高手用过可以指点一下!有时钟设置源码就更好了,谢谢!我的QQ邮箱:7 ......
ChinaLingBo 嵌入式系统
基于MSP430的电池电压检测仿真+程序
仿真原理图如下 480157 480158 480159 单片机源程序如下: //******************************************************************// #include <MSP430x24x.h> #define uc ......
Aguilera 微控制器 MCU
CS3.3编译出现问题求大神解决感激不尽
220997...
ailuo1992 DSP 与 ARM 处理器
看鑫海宝贝《令人气愤的事情》后有感
我也有点郁闷,我跟我对象都在读书,我们高一就开始了,现在大二,大一分手了一年,她学校是名牌,而我是个普通本科,分隔异地,现在总还是吵架,不知道将来她是否物质,只是自己太喜欢她了:fun ......
孤独剑 聊聊、笑笑、闹闹

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1102  1747  1008  994  1586  35  50  48  9  33 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved