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GC9901-QR1-127C

产品描述Mixer Diode, Low Barrier, KU Band to K Band, Silicon
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小615KB,共5页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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GC9901-QR1-127C概述

Mixer Diode, Low Barrier, KU Band to K Band, Silicon

GC9901-QR1-127C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明S-PXMW-F4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置RING, 4 ELEMENTS
最大二极管电容0.1 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)0.34 V
频带KU BAND TO KA BAND
JESD-30 代码S-PXMW-F4
JESD-609代码e4
元件数量4
端子数量4
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状SQUARE
封装形式MICROWAVE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Gold (Au)
端子形式FLAT
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
肖特基势垒类型LOW BARRIER
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