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RJK0854DPB-00-J5

产品描述80V, 25A, 13 m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小131KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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RJK0854DPB-00-J5概述

80V, 25A, 13 m max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

RJK0854DPB-00-J5规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SC-100
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4
针数4
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)25 A
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.013 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G4
元件数量1
端子数量4
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)100 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
ISD1110、1420语音录放电路
ISD1110的/PLAYL、/PLAYE、/REC、A7和A6内部有上拉电阻,A5~A0内部有下拉电阻。因此R6、R7和R8不用接;不分段的话,地址也不必接地。按键和A7、A6接地会产生100微安的电流。三、工作模式1、单段录放音模式:单段录放音时,需全部地址线接地,按住REC键录音,放开或录满时自动停止,录音期间RECLED点亮,录音结束时熄灭。放音时,按住PL键放音,松开停止;按一下PE键全...
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