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RGP02-18E

产品描述0.5 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小75KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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RGP02-18E概述

0.5 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE

RGP02-18E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknow
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.8 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流20 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.5 A
最大重复峰值反向电压1800 V
最大反向恢复时间0.3 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

RGP02-18E相似产品对比

RGP02-18E RGP02-12E_11
描述 0.5 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.5 A, 1800 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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