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MX29F100BMC-12: 产品描述Flash, 64KX16, 120ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44; 产品类别存储存储; 文件大小444KB，共46页; 制造商Macronix; 官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx

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MX29F100BMC-12概述

Flash, 64KX16, 120ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44

MX29F100BMC-12规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Macronix
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP44,.63
针数	44
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
备用内存宽度	8
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e0
长度	28.5 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,1
端子数量	44
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP44,.63
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	3 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	12.6 mm

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MX29F100T/B

1M-BIT [128Kx8/64Kx16] CMOS FLASH MEMORY

FEATURES

•

5V±10% for read, erase and write operation

131072x8/ 65536x16 switchable

Fast access time:90/120ns

Low power consumption

- 40mA maximum active current(5MHz)

- 1

typical standby current

Command register architecture

- Byte/ Word Programming (7us/ 12us typical)

- Erase (16K-Bytex1, 8K-Bytex2, 32K-Bytex1, and

64K-Byte x1)

Auto Erase (chip) and Auto Program

- Automatically erase any combination of sectors or

with Erase Suspend capability.

- Automatically program and verify data at specified

address

Status Reply

- Data polling & Toggle bit for detection of program

and erase cycle completion.

Compatibility with JEDEC standard

- Pinout and software compatible with single-power

supply Flash

- Superior inadvertent write protection

Sector protection

- Hardware method to disable any combination of

sectors from program or erase operations

- Sector protect/unprotect for 5V only system or 5V/

12V system

100,000 minimum erase/program cycles

Latch-up protected to 100mA from -1 to VCC+1V

Boot Code Sector Architecture

- T = Top Boot Sector

- B = Bottom Boot Sector

Low VCC write inhibit is equal to or less than 3.2V

Package type:

- 44-pin SOP

- 48-pin TSOP

Ready/Busy pin(RY/BY)

- Provides a hardware method or detecting program

or erase cycle completion

Erase suspend/ Erase Resume

- Suspend an erase operation to read data from, or

program data to a sector that is not being erased,

then resume the erase operation.

Hardware RESET pin

- Hardware method of resetting the device to reading

the device to reading array data.

20 years data retention

•

GENERAL DESCRIPTION

The MX29F100T/B is a 1-mega bit Flash memory

organized as 131,072 bytes or 65,536 words.

MXIC's Flash memories offer the most cost-effective

and reliable read/write non-volatile random access

memory. The MX29F100T/B is packaged in 44-pin

SOP and 48-pin TSOP. It is designed to be repro-

grammed and erased in-system or in-standard

EPROM programmers.

The standard MX29F100T/B offers access time 90ns.

To eliminate bus contention, the MX29F100T/B has

separate chip enable (CE) and output enable (OE)

controls.

MXIC's Flash memories augment EPROM function-

ality with in-circuit electrical erasure and

programming. The MX29F100T/B uses a command

fixed power supply levels during erase and

P/N:PM0548

programming, while maintaining maximum EPROM

compatibility.

MXIC Flash technology reliably stores memory con-

tents even after 100,000 erase and program cycles.

The MXIC cell is designed to optimize the erase and

programming mechanisms. In addition, the combi-

nation of advanced tunnel oxide processing and low

internal electric fields for erase and programming

operations produces reliable cycling. The

MX29F100T/B uses a 5.0V±10% VCC supply to

perform the High Reliability Erase and auto

Program/Erase algorithms.

The highest degree of latch-up protection is

achieved with MXIC's proprietary non-epi process.

Latch-up protection is proved for stresses up to 100

milliamps on address and data pin from -1V to VCC

+ 1V.

REV. 1.4, DEC. 29, 2003

MX29F100BMC-12相似产品对比

	MX29F100BMC-12	MX29F100BTC-90	MX29F100BMC-90	MX29F100BTC-12	MX29F100BTA-90	MX29F100BTA-12
描述	Flash, 64KX16, 120ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44	Flash, 64KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48	Flash, 64KX16, 90ns, PDSO44, 0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44	Flash, 64KX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48	Flash, 64KX16, 90ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48	Flash, 64KX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOIC	TSOP1	SOIC	TSOP1	TSOP1	TSOP1
包装说明	SOP, SOP44,.63	12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48	0.500 INCH, PLASTIC, MO-175, SOP-44	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20	TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数	44	48	44	48	48	48
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	90 ns	90 ns	120 ns	90 ns	120 ns
备用内存宽度	8	8	8	8	8	8
启动块	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
命令用户界面	YES	YES	YES	YES	YES	YES
数据轮询	YES	YES	YES	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G48	R-PDSO-G44	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48	R-PDSO-G48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	28.5 mm	18.4 mm	28.5 mm	18.4 mm	18.4 mm	18.4 mm
内存密度	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
部门数/规模	1,2,1,1	1,2,1,1	1,2,1,1	1,2,1,1	1,2,1,1	1,2,1,1
端子数量	44	48	44	48	48	48
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	TSOP1	SOP	TSOP1	TSOP1	TSOP1
封装等效代码	SOP44,.63	TSSOP48,.8,20	SOP44,.63	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20	TSSOP48,.8,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	3 mm	1.2 mm	3 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.00002 A	0.00002 A
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	0.5 mm	1.27 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
切换位	YES	YES	YES	YES	YES	YES
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	12.6 mm	12 mm	12.6 mm	12 mm	12 mm	12 mm
厂商名称	Macronix	-	-	Macronix	Macronix	Macronix

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