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VN0808M

产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.33A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-237AA, TO-237, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小132KB,共4页
制造商Atmel (Microchip)
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VN0808M概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.33A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-237AA, TO-237, 3 PIN

VN0808M规格参数

参数名称属性值
包装说明TO-237, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压80 V
最大漏极电流 (ID)0.33 A
最大漏源导通电阻4 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)10 pF
JEDEC-95代码TO-237AA
JESD-30 代码O-PBCY-W3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

VN0808M相似产品对比

VN0808M VN0808L
描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 0.33A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-237AA, TO-237, 3 PIN Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA, TO-226AA (TO-92), 3 PIN
包装说明 TO-237, 3 PIN TO-226AA (TO-92), 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V 80 V
最大漏极电流 (ID) 0.33 A 0.3 A
最大漏源导通电阻 4 Ω 4 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss) 10 pF 10 pF
JEDEC-95代码 TO-237AA TO-226AA
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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