IC,COUNTER,UP/DOWN,4-BIT BINARY,CMOS, RAD HARD,DIP,16PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Intersil ( Renesas ) |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 负载/预设输入 | YES |
| 逻辑集成电路类型 | BINARY COUNTER |
| 最大I（ol） | 0.00036 A |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 675 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 总剂量 | 1M Rad(Si) V |
| CD4029BFMSH | CD4029BDMSH | CD4029BKMSH | |
|---|---|---|---|
| 描述 | IC,COUNTER,UP/DOWN,4-BIT BINARY,CMOS, RAD HARD,DIP,16PIN,CERAMIC | IC,COUNTER,UP/DOWN,4-BIT BINARY,CMOS, RAD HARD,DIP,16PIN,CERAMIC | IC,COUNTER,UP/DOWN,4-BIT BINARY,CMOS, RAD HARD,FP,16PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | DFP, FL16,.3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| 计数方向 | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T16 | R-XDIP-T16 | R-XDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | 50 pF |
| 负载/预设输入 | YES | YES | YES |
| 逻辑集成电路类型 | BINARY COUNTER | BINARY COUNTER | BINARY COUNTER |
| 最大I（ol） | 0.00036 A | 0.00036 A | 0.00036 A |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | DFP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | FL16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | FLATPACK |
| 电源 | 5/15 V | 5/15 V | 5/15 V |
| Prop。Delay @ Nom-Sup | 675 ns | 675 ns | 675 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S | 38535V;38534K;883S |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 总剂量 | 1M Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V | 1M Rad(Si) V |
| Objectid | - | 100691362 | 100691536 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
