电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

PR1005G

产品描述1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小90KB,共2页
制造商CTC [Compact Technology Corp.]
下载文档 选型对比 全文预览

PR1005G概述

1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

文档预览

下载PDF文档
PR1001G thru PR1007G
FAST RECOVERY RECTIFIERS
GLASS PASSIVATION JUNCTION
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Amperes
FEATURES
Fast switching for high efficiency
Low cost
Glass passivation junction
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
A
DO-41
B
A
C
D
MECHANICAL DATA
Case : JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity : Color band denotes cathode
Weight : 0.012 ounces, 0.34 grams
Mounting position : Any
DO-41
Dim.
A
B
C
Min.
25.4
4.20
0.70
Max.
-
5.20
0.90
2.00
2.70
D
All Dimensions in millimeter
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3ms single
half sine-wave superim posed on rated load
Maximum instantaneous I
F
=1A@25℃
Maximum DC Reverse Current @TA=25℃
at Rated DC Blocking Voltage @TA=100℃
Maximum Reverse Recovery Time
Typical Junction Capacitance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
PR
PR
PR
PR
PR
PR
PR
UNIT
1001G 1002G 1003G 1004G 1005G 1006G 1007G
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
VRRM
VRMS
VDC
I
F
I
FSM
V
F
I
R
Trr
C
J
T
J
T
STG
V
V
V
A
A
V
uA
1.0
30.0
1.30
5
100
150
15
-55 to +150
-55 to +150
250
500
nS
pF
1
of 2
PR1001G thru PR1007G

PR1005G相似产品对比

PR1005G PR1001G_15 PR1006G PR1007G PR1002G PR1003G
描述 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
调整到功法到到最佳状态的一些方法
功率放大器,简称“功放”。很多情况下主机的额定输出功率不能胜任带动整个音响系统的任务,这时就要在主机和播放设备之间加装功率放大器来补充所需的功率缺口,而功率放大器在整个音响系统中起 ......
Jacktang 模拟与混合信号
问下9N90C是什么元件?
问下9N90C是什么元件?...
STORMc Microchip MCU
EVC编译错误 总共102个错误 我列举了一些出来
C:\Program Files\Windows CE Tools\wce400\STANDARDSDK\Include\x86\prsht.h(261) : error C2146: syntax error : missing ';' before identifier 'hdr' C:\Program Files\Windows CE Tools\w ......
zxya128 嵌入式系统
【MSP430共享】MSP430单片机实现微波成像系统的扫描控制与数据采集
引言----在无源微波遥感中,微波辐射计是一种获取场景微波特征的重要手段。微波辐射计通常是一部超外差接收机,通过接收被测场景在一定频带内的电磁辐射,转换为输出的低频信号,来表征被测场景 ......
GONGHCU 微控制器 MCU
手把手教你做Android手机遥控车
手把手教你做Android手机遥控车 安卓手机遥控小车,顾名思义就是用安卓手机来控制小车前后左右运动。给大家展示一个既可触摸按键控制又可重力感应控制的Android手机软件和DIY小车, ......
zczc 单片机
itop4412开发板Qt串口编程-界面布局
本节我们使用 Qt 来编写一个简单的上位机。 实验介绍:组装 ui 界面,使用 Qt 提供的串口类来实现串口收发功能,需要掌握的相关 Qt 知识有以下几点: QSerialPort 是 Qt5 中的附加模块,提供 ......
遥寄山川 ARM技术

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 79  1101  163  1673  1915  2  23  4  34  39 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved