datasheet
电子工程世界电子工程世界电子工程世界
Datasheet
型号

关键词

搜索
关键词

型号

搜索
Datasheet> 器件分类 > GBJ35005-G
PDF数据手册
文档预览

GBJ35005-G

产品描述Glass Passivated Bridge Rectifiers
文件大小80KB，共3页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
下载文档 选型对比 全文预览

GBJ35005-G概述

Glass Passivated Bridge Rectifiers

文档预览

下载PDF文档
Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBJ35005-G Thru. GBJ3510-G
Reverse Voltage: 50 to 1000V
Forward Current: 35 A
RoHS Device
Features
-Rating to 1000V PRV.
-Ideal for printed circuit board.
-Low forward voltage drop.
-High current capability.
-UL recognized file # E349301
R
GBJ
Φ0.134(3.4)
Φ0.122(3.1)
1.193(30.3)
1.169(29.7)
0.118(3.00)*45°
0.189(4.80)
0.173(4.40)
0.150(3.80)
0.134(3.40)
Φ0.134(3.40)
Φ0.122(3.10)
0.114(2.90)
0.098(2.50)
0.198
MAX
(5.1)
0.800(20.30)
0.776(19.70)
0.106(2.7)
0.096(2.3)
+
~ ~ _
Mechanical Data
-Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant.
-Case: Molded plastic, GBJ
-Mounting position: Any
-Weight: 6.81grams
0.094(2.4)
0.078(2.0)
0.043(1.1)
0.035(0.9)
0.165(4.2)
0.142(3.6)
0.708(18.0)
0.669(17.0)
0.441(11.2)
0.425(10.8)
0.402(10.2) 0.303(7.7) 0.303(7.7)
SPACING
0.386(9.8) 0.287(7.3) 0.287(7.3)
0.031(0.80)
0.023(0.60)
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum ratings and electrical characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
GBJ
35005-G
50
35
50
GBJ
3501-G
100
70
100
GBJ
3502-G
200
140
200
GBJ
3504-G
400
280
400
GBJ
3506-G
600
420
600
GBJ
3508-G
800
560
800
GBJ
3510-G
1000
700
1000
Parameter
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward (with heatsink Note2)
rectified current @Tc=100°C (without hestsink)
Symbol
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
Unit
V
V
V
A
35
5
400
1.1
10
500
510
85
0.6
-55 to +150
-55 to +150
Peak forward surage current ,
8.3ms single falf sine-wave
super imposed on rated load
(JEDEC Method)
Maximum forward voltage at 17.5A DC
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
I t rating for fusing (t<8.3ms)
Typical junction capacitance per element (Note 1)
Typical thermal resistance (Note 2)
Operating temperature range
Storage temperature range
2
I
FSM
V
F
I
R
It
C
J
R
θJC
T
J
T
STG
2
A
V
μA
As
pF
°C/W
°C
°C
2
@T
J
=25°C
@T
J
=125°C
Notes:
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2. Device mounted on 300mm*300mm*1.6mm Cu plate heatsink.
Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.
QW-BBR88
REV: A
Page 1
Comchip Technology CO., LTD.

GBJ35005-G相似产品对比

GBJ35005-G GBJ3504-G GBJ3501-G GBJ3506-G GBJ3502-G GBJ3508-G
描述 Glass Passivated Bridge Rectifiers Glass Passivated Bridge Rectifiers Glass Passivated Bridge Rectifiers Glass Passivated Bridge Rectifiers Glass Passivated Bridge Rectifiers Glass Passivated Bridge Rectifiers
是否Rohs认证 - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 - Comchip Technology Comchip Technology Comchip Technology Comchip Technology Comchip Technology
包装说明 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
Reach Compliance Code - compliant compli compli compli compli
其他特性 - UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED UL RECOGNIZED
最小击穿电压 - 400 V 100 V 600 V 200 V 800 V
配置 - BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 - BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 - R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4 R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流 - 400 A 400 A 400 A 400 A 400 A
元件数量 - 4 4 4 4 4
相数 - 1 1 1 1 1
端子数量 - 4 4 4 4 4
最高工作温度 - 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 - -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 - 5 A 5 A 5 A 5 A 5 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 - 400 V 100 V 600 V 200 V 800 V
表面贴装 - NO NO NO NO NO
端子形式 - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

推荐资源

电风扇选频声波遥控开关b

稳压电源过电流保护电路之二

LinkSwitch-PL系列LED驱动器电路图

电压可调输出的电路图

简易倍压发生器电路

数据监视器用视频末级放大器电路

器件捷径:   A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

热门器件

  1. NRC06F1001TRF
  2. GRM3166P1H181JZ01D
  3. JAN2N5795A
  4. FU-675PDF-V2M66A
  5. PFC-W0603ASLF-12-1840-A
  6. NTR12B1471CTRF
  7. ASMT-LW50-100AB
  8. M83723/75G8027
  9. ER1E
  10. GDZJ9.1B-34_B0_10001
  11. 1N5401_B0_00001
  12. CKL0410-680uH/K-A

开源项目推荐更多

  1. 使用 NKK Switches 的 74HC164 的参考设计
  2. LT3091IR 恒流恒压实验室电源的典型应用
  3. OP295GSZ-REEL H桥运算放大器典型应用
  4. ADP7142RD-EVALZ，用于评估 ADP7142 40V、200mA 低噪声 CMOS LDO 的 TSOT 评估板
  5. 手机直流转直流单路输出电源
  6. NCP301LSN24T1 2.4V双电源欠压监测典型应用
  7. 电网集中器
  8. 使用 Analog Devices 的 LTC1985ES5-1.8 的参考设计
  9. 多输出反激式转换器（12V 至 5V、12V）
  10. 在系统 8 位 DAC 中解码多个 AD5304 器件的典型应用

热门活动更多

  1. 【大家咋用AI的】版块上线啦~欢迎来聊聊你的AI开发经验，有好礼
  2. 【回帖赢50元京东卡】模拟电子与储能解决方案大讨论（4月新活动）
  3. 与Digikey得捷一起解锁【ADI 超紧凑型超低功耗边缘AI开发板MAX78000FTHR】超能力，Follow me第四季第1期报名中！
  4. DigiKey得捷应用探索站 | 模拟电子与储能解决方案
  5. 【有奖直播】TI 工业自动化与机器人功能安全解决方案线上研讨会
  6. 是德科技重磅新品发布会｜新一代无线测试利器VXT：开启 RF 与模拟 IQ 全链路测试
  7. 你晒单我买单2026第1期报名中，DigiKey得捷带您畅享好物！
  8. 免费申请《一本书讲透汽车功能安全：标准详解与应用实践》，挑战《ISO26262标准》共读，赢好礼
  9. 装备焕新月：e络盟Multicomp Pro系列产品，小投入，大升级 ―― 装备焕新惊喜体验
  10. MPS 机器人模块设计大赛报名重磅开启，锻造硬实力，让想法照进现实！

热门文章更多

  1. 汉EV的高电压充电技术有什么特别之处？
  2. 安富利：论抗疫持久战之“云”经济
  3. 清华 AIR 研究院发布全球首个车路协同数据集 DAIR-V2X
  4. 一文详解热阻热瞬态测试仪
  5. 英特尔神秘晶圆厂计划曝光
  6. 小米11 Ultra拍摄！雷军力荐壁纸：画面栩栩如生
  7. Arm中国区CEO吴雄昂：拟2025年后在香港或上海上市
  8. OPPO Reno7 Z解密：后置三摄 支持33W快充
  9. STM32程序无法进入main函数的解决方法

技术资料推荐更多

  1. 电力电子技术手册
  2. 电子电气工程师必知必会
  3. 【得捷Follow me第4期】玩转W5500-EVB-Pico 资料包
  4. STC-ISP下载器
  5. 电源纹波和噪声的测试测量和分析
  6. 万用表和示波器的使用方法.rar
  7. STM32F429开发指南-HAL库版本_V1.1.pdf
  8. 开关电源SPICE仿真和实例设计
  9. 《电子制作实例集锦》
  10. 512套名校《电路》考研真题与详解

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关： 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2124  872  1360  2106  1091  16  17  11  38  50 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编：100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved