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WS512K32NBV-15H2IE

产品描述SRAM Module, 512KX32, 15ns, BICMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
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文件大小332KB,共8页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WS512K32NBV-15H2IE概述

SRAM Module, 512KX32, 15ns, BICMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

WS512K32NBV-15H2IE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Objectid1546386653
包装说明1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间15 ns
其他特性ALSO CONFIGURABLE AS 2M X 8
备用内存宽度16
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CPGA-P66
JESD-609代码e0
长度35.2 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端子数量66
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX32
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码PGA
封装等效代码PGA66,11X11
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.7 mm
最大压摆率0.48 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术BICMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度35.2 mm
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