SRAM Module, 512KX8, 20ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 包装说明 | 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 20 ns |
| 其他特性 | CONFIGURABLE AS 128K X 32 |
| 备用内存宽度 | 16 |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-CPGA-P66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 30.1 mm |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 524288 words |
| 字数代码 | 512000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 512KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | PGA66,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 6.22 mm |
| 最大待机电流 | 0.06 A |
| 最小待机电流 | 3 V |
| 最大压摆率 | 0.5 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | PERPENDICULAR |
| 宽度 | 30.1 mm |
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