PDTC115EEF,PDTC115EEF pdf中文资料,PDTC115EEF引脚图,PDTC115EEF电路-Datasheet-电子工程世界

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PDTC115EEF: 产品描述NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小99KB，共14页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PDTC115EEF概述

NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm

PDTC115EEF规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-89
包装说明	PLASTIC, SC-89, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PDTC115EEF相似产品对比

	PDTC115EEF	PDTC115E	PDTC115EE	PDTC115EK	PDTC115EM	PDTC115ES	PDTC115ET	PDTC115EU
描述	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm	NPN resistor-equipped transistors; R1 = 100 kohm, R2 = 100 kohm
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-89	-	SC-75	SOT-23	SC-101	TO-92	SOT-23	SC-70
包装说明	PLASTIC, SC-89, 3 PIN	-	PLASTIC, SC-75, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, PLASTIC, SC-101, 3 PIN	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	PLASTIC PACKAGE-3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	-	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	-	compli	unknow	compli	unknow	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	-	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	-	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	-	80	80	80	80	80	80
JESD-30 代码	R-PDSO-F3	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PBCC-N3	O-PBCY-T3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	e3	e3	e3	e3
元件数量	1	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	-	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	260
极性/信道类型	NPN	-	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W	-	0.15 W	0.25 W	0.25 W	0.5 W	0.25 W	0.2 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	NO	YES	YES
端子面层	Tin (Sn)	-	Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	FLAT	-	GULL WING	GULL WING	NO LEAD	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	30	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	30	30
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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