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PDTA114YK: 产品描述PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小98KB，共14页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PDTA114YK概述

PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM

PDTA114YK规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOT-23
包装说明	PLASTIC, SC-59A, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

PDTA114YK相似产品对比

	PDTA114YK	PDTA114Y	PDTA114YE	PDTA114YEF	PDTA114YM	PDTA114YS	PDTA114YT	PDTA114YU
描述	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM	100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB	PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 kOHM, R2 = 47 kOHM
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	-	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SOT-23	-	SC-75	SC-89	SC-101	TO-92	SOT-23	SC-70
包装说明	PLASTIC, SC-59A, 3 PIN	-	PLASTIC, SC-75, 3 PIN	PLASTIC, SC-89, 3 PIN	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数	3	-	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	-	compli	unknown	compli	unknown	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	-	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	-	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	-	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	-	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100	-	100	100	100	100	100	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	-	R-PDSO-G3	R-PDSO-F3	R-PBCC-N3	O-PBCY-T3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	e3	e3	e3	e3
元件数量	1	-	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	-	3	3	3	3	3	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	ROUND	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	CHIP CARRIER	CYLINDRICAL	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	-	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	260	260
极性/信道类型	PNP	-	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W	-	0.15 W	0.25 W	0.25 W	0.5 W	0.25 W	0.25 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	NO	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	FLAT	NO LEAD	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	30	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	30	30
晶体管应用	SWITCHING	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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