WS512K32-45G1TQ,WS512K32-45G1TQ pdf中文资料,WS512K32-45G1TQ引脚图,WS512K32-45G1TQ电路-Datasheet-电子工程世界

WS512K32-45G1TQ: 产品描述SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 4.06 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68; 产品类别存储存储; 文件大小486KB，共13页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WS512K32-45G1TQ概述

SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CQFP68, 23.90 X 23.90 MM, 4.06 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	23.90 X 23.90 MM, 4.06 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	45 ns
其他特性	IT CAN ALSO BE CONFIGURED AS 2M X 8
备用内存宽度	16
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-CQFP-G68
JESD-609代码	e4
长度	23.88 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	68
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP68,.99SQ,50
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	4.06 mm
最大待机电流	0.028 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.66 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	GOLD
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	23.88 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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