SRAM Module, 128KX32, 15ns, CMOS, CHIP66, HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS-66
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 包装说明 | HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS-66 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| 其他特性 | USER CONFIGURABLE AS 512K X 8 |
| 备用内存宽度 | 16 |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | S-CHIP-P66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 128KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | PGA |
| 封装等效代码 | PGA66,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 最大待机电流 | 0.0116 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.6 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | PIN/PEG |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | HEX |
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