80 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | D2PAK |
| 包装说明 | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 450 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.008 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 215 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| SPB80N06S2-08 | SPP80N06S2-08 | SPI80N06S2-08 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 80 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 80 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | 80 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 零件包装代码 | D2PAK | TO-220AB | TO-262AA |
| 包装说明 | PLASTIC, TO-263, 3 PIN | PLASTIC, TO-220, 3 PIN | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 4 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | _compli | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 450 mJ | 450 mJ | 450 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 55 V | 55 V | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A | 80 A | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A | 80 A | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.008 Ω | 0.008 Ω | 0.008 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-263AB | TO-220AB | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSFM-T3 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | FLANGE MOUNT | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 215 W | 215 W | 215 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | 320 A | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | NO | NO |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | - | Infineon(英飞凌) |
| JESD-609代码 | e0 | e3 | - |
| 端子面层 | TIN LEAD | MATTE TIN | - |
嵌入式系统
PCB设计
模拟电子
无线连接
移动便携
电子竞赛
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
