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SPB80N10L

产品描述SIPMOS Power-Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小124KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SPB80N10L概述

SIPMOS Power-Transistor

SPB80N10L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码D2PAK
包装说明PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数4
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)700 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)80 A
最大漏极电流 (ID)80 A
最大漏源导通电阻0.024 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)220
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)320 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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SPI80N10L
SPP80N10L
SIPMOS
Power-Transistor
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175°C operating temperature
Avalanche rated
dv/dt rated
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
PG-TO262-3-1
100
14
80
V
A
PG-TO220-3-1
Type
SPP80N10L
SPI80N10L
Package
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
Ordering Code
Q67042-S4173
Q67042-S4172
Marking
80N10L
80N10L
Maximum Ratings,
at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Symbol
I
D
Value
80
58
Unit
A
Pulsed drain current
T
C
=25°C
I
D puls
E
AS
E
AR
dv/dt
V
GS
P
tot
T
j ,
T
stg
320
700
25
6
±20
250
-55... +175
55/175/56
kV/µs
V
W
°C
mJ
Avalanche energy, single pulse
Avalanche energy, periodic limited by
T
jmax
Reverse diode dv/dt
I
S
=80A,
V
DS
=0V,
di/dt=200A/µs
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
Rev. 2.1
Page 1

I
D
=80 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
2005-02-15







m

SPB80N10L相似产品对比

SPB80N10L SPP80N10L SPI80N10L
描述 SIPMOS Power-Transistor SIPMOS Power-Transistor SIPMOS Power-Transistor
是否Rohs认证 不符合 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 D2PAK TO-220AB TO-262AA
包装说明 PLASTIC, TO-263, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 4 3 3
Reach Compliance Code _compli compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 700 mJ 700 mJ 700 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 80 A 80 A 80 A
最大漏极电流 (ID) 80 A 80 A 80 A
最大漏源导通电阻 0.024 Ω 0.024 Ω 0.024 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-263AB TO-220AB TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 2 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 220 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 250 W 250 W 250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 320 A 320 A 320 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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