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PBSS5320T

产品描述20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共10页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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PBSS5320T概述

20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

PBSS5320T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SOT-23
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)220
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz

PBSS5320T相似产品对比

PBSS5320T PBSS5320T/G,215
描述 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

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