OptiMOS Power-Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-262AA |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 810 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0037 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| SPI80N04S2-04 | SPP80N04S2-04 | SPB80N04S2-04 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | OptiMOS Power-Transistor | OptiMOS Power-Transistor | OptiMOS Power-Transistor |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-262AA | TO-220AB | D2PAK |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | PLASTIC, TO-263, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 | 4 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 810 mJ | 810 mJ | 810 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 40 V | 40 V | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A | 80 A | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A | 80 A | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0037 Ω | 0.0037 Ω | 0.0034 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-220AB | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLANGE MOUNT | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 300 W | 300 W | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | 320 A | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN | TIN LEAD |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
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