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SPP100N08S2L-07

产品描述OptiMOS Power-Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小152KB,共8页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SPP100N08S2L-07概述

OptiMOS Power-Transistor

SPP100N08S2L-07规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)810 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)100 A
最大漏极电流 (ID)100 A
最大漏源导通电阻0.0087 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)400 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

SPP100N08S2L-07相似产品对比

SPP100N08S2L-07 SPB100N08S2L-07
描述 OptiMOS Power-Transistor OptiMOS Power-Transistor
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-220AB D2PAK
包装说明 PLASTIC, TO-220, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 4
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas) 810 mJ 810 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 75 V 75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 100 A 100 A
最大漏极电流 (ID) 100 A 100 A
最大漏源导通电阻 0.0087 Ω 0.0084 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 300 W 300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 400 A 400 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子面层 MATTE TIN MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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