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WS128K32V-35G2M

产品描述SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CQFP68, 22 X 22 MM, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
产品类别存储    存储   
文件大小164KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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WS128K32V-35G2M概述

SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CQFP68, 22 X 22 MM, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

WS128K32V-35G2M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明22 X 22 MM, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
其他特性CONFIGURABLE AS 128K X 32
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-CQFP-G68
JESD-609代码e0
长度22.4 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量68
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码QFP
封装等效代码QFP68,1.1SQ,50
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.1 mm
最大待机电流0.06 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度22.4 mm
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