WS128K32N-35HM,WS128K32N-35HM pdf中文资料,WS128K32N-35HM引脚图,WS128K32N-35HM电路-Datasheet-电子工程世界

WS128K32N-35HM: 产品描述SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66; 产品类别存储存储; 文件大小405KB，共10页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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WS128K32N-35HM概述

SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	35 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 128K X 32
备用内存宽度	16
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-CPGA-P66
JESD-609代码	e0
长度	30.1 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	66
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA66,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	6.22 mm
最大待机电流	0.06 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
宽度	30.1 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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