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OM5239ST

产品描述10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小18KB,共2页
制造商ETC1
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OM5239ST概述

10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA

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OM5236ST OM5238ST OM5240ST
OM5237ST OM5239ST OM5241ST
SINGLE ISOLATED RECTIFIER IN HERMETIC
TO-257AA PACKAGE
10 Amp, High Efficiency, 50 To 600 Volts,
35 To 50 nsec
FEATURES
Isolated Hermetic Package
High Current / Small Size
Ultra-Fast Recovery
Low Forward Voltage Drop
JEDEC TO-257AA Package
Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV And S Levels
DESCRIPTION
These high speed power rectifiers are ideally suited in demanding applications
where small size, high current and high reliability are required.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
@ 25°C
Peak Inverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50 to 600V
Maximum Average D.C. Output Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 A
Non-Repetitive Sinusoidal Surge Current 8.3 ms . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 A
Operating and Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . - 55° C to + 150° C
Thermal Resistance
Junction-to-Case . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5° C/W
Junction-to-Ambient . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60° C/W
Z
MECHANICAL OUTLINE
.420
.410
.200
.190
.045
.035
.665
.645
.537
.527
.430
.410
.038 MAX.
PIN CONNECTION
3.2
.150
.140
.750
.500
.005
1 2 3
.035
.025
.100 TYP.
.120 TYP.
Z-Tab package also available.
4 11 R2
Supersedes 1 07 R1
Pin 1: Cathode
Pin 2: N/A
Pin 3: Anode
3.2 - 57

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OM5239ST OM5236ST OM5237ST OM5238ST OM5240ST OM5241ST
描述 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA 10 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-257AA

 
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