BFS 20
NPN
High Frequency Transistors
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
1.1
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
0.4
3
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1.3
±0.1
Type
Code
1
2
2.5
max
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.9
Dimensions / Maße in mm
1=B
2=E
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Collector-Emitter-voltage
Collector-Base-voltage
Emitter-Base-voltage
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (DC)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
V
CE0
V
CB0
V
EB0
P
tot
I
C
I
CM
T
j
T
S
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
BFS 20
20 V
30 V
4V
250 mW
1
)
25 mA
25 mA
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Min.
Collector - Base cut-off current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 20 V
I
E
= 0, V
CB
= 20 V, T
j
= 100
/
C
Emitter - Base cut-off current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
I
EB0
–
I
CB0
I
CB0
–
–
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
–
–
–
Max.
100 nA
10
:
A
100 nA
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
01.11.2003
4
High Frequency Transistors
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Min.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
1
)
V
CE
= 10 V, I
C
= 7 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
1
)
V
CE
= 10 V, I
C
= 7 mA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
V
CE
= 10 V, I
C
= 5 mA, f = 100 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= i
e
= 0, f = 1 MHz
Feedback Capacitance – Rückwirkungskapazität
V
CB
= 10 V, I
C
= i
c
= 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
–
R
thA
350 fF
f
T
C
CB0
275 MHz
–
450 MHz
1 pF
V
BEon
–
740 mV
h
FE
40
85
BFS 20
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Typ.
Max.
–
900 mV
–
–
–
420 K/W
2
)
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
Marking - Stempelung
BFS 20 = G1
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% – Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhältnis
#
2%
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
01.11.2003
1
2
5
实时操作系统RTOS
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