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IRFU3709Z

产品描述HEXFET Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小265KB,共12页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFU3709Z概述

HEXFET Power MOSFET

IRFU3709Z规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-251AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)100 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)86 A
最大漏极电流 (ID)30 A
最大漏源导通电阻0.0065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)245
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)79 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)340 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IRFU3709Z相似产品对比

IRFU3709Z IRFR3709Z IRFR3709ZTR IRFR3709ZTRR IRFR3709ZTRL
描述 HEXFET Power MOSFET HEXFET Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-251AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code compli compliant compliant unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
雪崩能效等级(Eas) 100 mJ 100 mJ 100 mJ 100 mJ 100 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V 30 V 30 V 30 V
最大漏极电流 (ID) 30 A 30 A 30 A 30 A 30 A
最大漏源导通电阻 0.0065 Ω 0.0065 Ω 0.0065 Ω 0.0065 Ω 0.0065 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-251AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 2 2 2 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 245 245 245 NOT SPECIFIED 245
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 340 A 340 A 340 A 340 A 340 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 NOT SPECIFIED 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
最大漏极电流 (Abs) (ID) 86 A 86 A 86 A - 86 A
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C - 175 °C
最大功率耗散 (Abs) 79 W 79 W 79 W - 79 W
Base Number Matches - 1 1 1 1

 
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