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IR21814: 产品描述2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小265KB，共14页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 相似器件已查找到3个与IR21814功能相似器件

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IR21814概述

2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14

IR21814规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP14,.3
针数	14
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
高边驱动器	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDIP-T14
JESD-609代码	e0
长度	19.305 mm
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	14
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
标称输出峰值电流	2.3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP14,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
电源	15 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm
最大供电电压	20 V
最小供电电压	10 V
标称供电电压	15 V
电源电压1-最大	620 V
电源电压1-分钟	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
断开时间	0.33 µs
接通时间	0.27 µs
宽度	7.62 mm

IR21814相似产品对比

	IR21814	IR2181	IR21814PBF	IR21814S	IR21814SPBF	IR2181PBF	IR2181S	IR2181SPBF
描述	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO14	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合	不符合	符合	符合	不符合	符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	SOIC	SOIC	DIP	SOIC	SOIC
包装说明	DIP, DIP14,.3	DIP, DIP8,.3	LEAD FREE, PLASTIC, MS-001AC, DIP-14	SOP, SOP14,.25	LEAD FREE, MS-012AB, SOIC-14	LEAD FREE, PLASTIC, MS-001AB, DIP-8	SOP, SOP8,.25	LEAD FREE, MS-012AA, SOIC-8
针数	14	8	14	14	14	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	unknow	compli	unknow	unknow	compli	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
高边驱动器	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDIP-T14	R-PDIP-T8	R-PDIP-T14	R-PDSO-G14	R-PDSO-G14	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0	e0	e3	e0	e3	e3	e0	e3
长度	19.305 mm	9.88 mm	19.305 mm	8.65 mm	8.65 mm	9.88 mm	4.9 mm	4.9 mm
湿度敏感等级	3	2	3	3	1	2	2	2
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	14	8	14	14	14	8	8	8
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
标称输出峰值电流	2.3 A	2.3 A	2.3 A	2.3 A	2.3 A	2.3 A	2.3 A	2.3 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	SOP	SOP	DIP	SOP	SOP
封装等效代码	DIP14,.3	DIP8,.3	DIP14,.3	SOP14,.25	SOP14,.25	DIP8,.3	SOP8,.25	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	250	245	260	250	245	260
电源	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.33 mm	5.33 mm	5.33 mm	1.75 mm	1.75 mm	5.33 mm	1.75 mm	1.75 mm
最大供电电压	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V	20 V
最小供电电压	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V	10 V
标称供电电压	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
电源电压1-最大	620 V	620 V	620 V	620 V	620 V	620 V	620 V	620 V
电源电压1-分钟	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	YES	YES	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30	30	30
断开时间	0.33 µs	0.33 µs	0.33 µs	0.33 µs	0.33 µs	0.33 µs	0.33 µs	0.33 µs
接通时间	0.27 µs	0.27 µs	0.27 µs	0.27 µs	0.27 µs	0.27 µs	0.27 µs	0.27 µs
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	3.9 mm	3.9 mm	7.62 mm	3.9 mm	3.9 mm
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	-	International Rectifier （ Infineon ）	-	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）

与IR21814功能相似器件

器件名	厂商	描述
IR21814PBF	Infineon(英飞凌)	Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr Sft Trn On Non Invrt
IR21814	Infineon(英飞凌)	IC DRIVER HI/LOW 600V 1.9A 14DIP
IR21814PBF	International Rectifier （ Infineon ）	2.3 A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDIP14

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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