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SQ3019F

产品描述1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小26KB,共1页
制造商Semicoa
官网地址http://www.snscorp.com/Semicoa.htm
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SQ3019F概述

1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5

SQ3019F规格参数

参数名称属性值
端子数量3
晶体管极性NPN
最大集电极电流1 A
最大集电极发射极电压80 V
加工封装描述TO-5, 3 PIN
状态ACTIVE
包装形状
包装尺寸圆柱形的
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置BOTTOM
包装材料金属
结构单一的
元件数量1
晶体管元件材料
晶体管类型通用小信号
最小直流放大倍数100
额定交叉频率100 MHz

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Data Sheet No. 2C3019
Chip Type 2C3019
Geometry 4500
Polarity PNP
Generic Packaged Parts:
2N3019, 2N3057
Chip type
2C3019
by Semicoa Semi-
conductors provides performance
similar to these devices.
Part Numbers:
2N3019, 2N3019S,
2N3019UB, 2N3057,
2N3057A,
2N3700, 2N3700UB,
SD3019F, SQ3019, SQ3019F
Product Summary:
APPLICATIONS:
Designed for general
purpose switching and amplifier applica-
tions.
Features:
Radiation graphs available
Mechanical Specifications
Metallization
Bonding Pad Size
Die Thickness
Chip Area
Top Surface
Top
Backside
Emitter
Base
Al - 12 kÅ min.
Au - 6.5 kÅ nom.
2.3 mils x 7.0 mils
5.0 mils x 11.0 mils
8 mils nominal
30 mils x 30 mils
Silox Passivated
Electrical Characteristics
T
A
= 25
o
C
Parameter
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
Test conditions
I
C
= 100 µA, I
E
= 0
I
E
= 100 µA, I
C
= 0
V
CB
= 40 V, I
E
= 0
Min
140
7.0
---
Max
---
---
10
Unit
V dc
V dc
nA
h
FE
I
C
= 150 mA dc, V
CE
= 10 V
100
300
---
Due to limitations of probe testing, only dc parameters are tested. This must be done with pulse width less
than 300 µs, duty cycle less than 2%.

SQ3019F相似产品对比

SQ3019F 2N3019UB SD3019F
描述 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
端子数量 3 3 3
晶体管极性 NPN NPN NPN
最大集电极电流 1 A 1 A 1 A
最大集电极发射极电压 80 V 80 V 80 V
加工封装描述 TO-5, 3 PIN TO-5, 3 PIN TO-5, 3 PIN
状态 ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状
包装尺寸 圆柱形的 圆柱形的 圆柱形的
端子形式 线 线 线
端子涂层 锡 铅 锡 铅 锡 铅
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
包装材料 金属 金属 金属
结构 单一的 单一的 单一的
元件数量 1 1 1
晶体管元件材料
晶体管类型 通用小信号 通用小信号 通用小信号
最小直流放大倍数 100 100 100
额定交叉频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

 
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