1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 3 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 最大集电极电流 | 1 A |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V |
| 加工封装描述 | TO-5, 3 PIN |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 圆 |
| 包装尺寸 | 圆柱形的 |
| 端子形式 | 线 |
| 端子涂层 | 锡 铅 |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 包装材料 | 金属 |
| 结构 | 单一的 |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 晶体管类型 | 通用小信号 |
| 最小直流放大倍数 | 100 |
| 额定交叉频率 | 100 MHz |

| SQ3019F | 2N3019UB | SD3019F | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 |
| 晶体管极性 | NPN | NPN | NPN |
| 最大集电极电流 | 1 A | 1 A | 1 A |
| 最大集电极发射极电压 | 80 V | 80 V | 80 V |
| 加工封装描述 | TO-5, 3 PIN | TO-5, 3 PIN | TO-5, 3 PIN |
| 状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
| 包装形状 | 圆 | 圆 | 圆 |
| 包装尺寸 | 圆柱形的 | 圆柱形的 | 圆柱形的 |
| 端子形式 | 线 | 线 | 线 |
| 端子涂层 | 锡 铅 | 锡 铅 | 锡 铅 |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 包装材料 | 金属 | 金属 | 金属 |
| 结构 | 单一的 | 单一的 | 单一的 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 |
| 晶体管元件材料 | 硅 | 硅 | 硅 |
| 晶体管类型 | 通用小信号 | 通用小信号 | 通用小信号 |
| 最小直流放大倍数 | 100 | 100 | 100 |
| 额定交叉频率 | 100 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved