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NMC93CS66MN

产品描述2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES
产品类别存储    存储   
文件大小317KB,共11页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

NMC93CS66MN概述

2048-BIT / 4096-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRMMABLE MEMORIES

NMC93CS66MN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最大时钟频率 (fCLK)0.5 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
内存密度4096 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数256 words
字数代码256
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织256X16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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