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NMC9346N

产品描述NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY
产品类别存储    存储   
文件大小563KB,共7页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NMC9346N概述

NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY

NMC9346N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明PLASTIC, DIP-8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)0.25 MHz
数据保留时间-最小值10
耐久性40000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e0
长度9.817 mm
内存密度1024 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量8
字数64 words
字数代码64
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64X16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
串行总线类型MICROWIRE
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.012 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护SOFTWARE

NMC9346N相似产品对比

NMC9346N NMC9346 NMC9346E NMC9346EM8 NMC9346EN NMC9346M8
描述 NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY NMC9346 1024-BIT SERIAL ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE MEMORY
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合 不符合
包装说明 PLASTIC, DIP-8 - - SOP, SOP8,.25 PLASTIC, DIP-8 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
Reach Compliance Code unknow - - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 0.25 MHz - - 0.25 MHz 0.25 MHz 0.25 MHz
数据保留时间-最小值 10 - - 10 10 10
耐久性 40000 Write/Erase Cycles - - 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles 40000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 - - R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 - - e0 e0 e0
长度 9.817 mm - - 4.9 mm 9.817 mm 4.9 mm
内存密度 1024 bi - - 1024 bi 1024 bi 1024 bi
内存集成电路类型 EEPROM - - EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 16 - - 16 16 16
功能数量 1 - - 1 1 1
端子数量 8 - - 8 8 8
字数 64 words - - 64 words 64 words 64 words
字数代码 64 - - 64 64 64
工作模式 SYNCHRONOUS - - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - - 85 °C 85 °C 70 °C
组织 64X16 - - 64X16 64X16 64X16
输出特性 3-STATE - - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - - SOP DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 - - SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR - - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - - SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL - - SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V - - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm - - 1.75 mm 5.08 mm 1.75 mm
串行总线类型 MICROWIRE - - MICROWIRE MICROWIRE MICROWIRE
最大待机电流 0.003 A - - 0.004 A 0.004 A 0.003 A
最大压摆率 0.012 mA - - 0.014 mA 0.014 mA 0.012 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO - - YES NO YES
技术 NMOS - - NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL - - INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - - GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm - - 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL - - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm - - 3.9 mm 7.62 mm 3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms - - 10 ms 10 ms 10 ms
写保护 SOFTWARE - - SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE
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