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NMC27C128BQM200

产品描述High Speed Version 131,072-Bit(16k x 8) UV Erasable CMOS PROM
产品类别存储    存储   
文件大小362KB,共10页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

NMC27C128BQM200概述

High Speed Version 131,072-Bit(16k x 8) UV Erasable CMOS PROM

NMC27C128BQM200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明WDIP, DIP28,.6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间200 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T28
JESD-609代码e0
内存密度131072 bi
内存集成电路类型UVPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码WDIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE, WINDOW
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压12.75 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class C
座面最大高度5.715 mm
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1
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