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NM25C04LEM8

产品描述4096-Bit Serial Interface CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface Synchronous Bus)
产品类别存储    存储   
文件大小166KB,共12页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NM25C04LEM8概述

4096-Bit Serial Interface CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface Synchronous Bus)

NM25C04LEM8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HARDWARE & SOFTWARE WRITE PROTECTION; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
长度4.9 mm
内存密度4096 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数512 words
字数代码512
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512X8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/5.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度3.9 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches1

NM25C04LEM8相似产品对比

NM25C04LEM8 NM25C04L NM25C04LEN NM25C04LM8 NM25C04LN
描述 4096-Bit Serial Interface CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface Synchronous Bus) 4096-Bit Serial Interface CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface Synchronous Bus) 4096-Bit Serial Interface CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface Synchronous Bus) 4096-Bit Serial Interface CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface Synchronous Bus) 4096-Bit Serial Interface CMOS EEPROM (Serial Peripheral Interface Synchronous Bus)
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
包装说明 SOP, SOP8,.25 - DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N - N N N
其他特性 HARDWARE & SOFTWARE WRITE PROTECTION; DATA RETENTION > 40 YEARS - HARDWARE & SOFTWARE WRITE PROTECTION; DATA RETENTION > 40 YEARS HARDWARE & SOFTWARE WRITE PROTECTION; DATA RETENTION > 40 YEARS HARDWARE & SOFTWARE WRITE PROTECTION; DATA RETENTION > 40 YEARS
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz - 1 MHz 1 MHz 1 MHz
数据保留时间-最小值 100 - 100 100 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 4.9 mm - 9.817 mm 4.9 mm 9.817 mm
内存密度 4096 bi - 4096 bi 4096 bi 4096 bi
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 - 8 8 8
功能数量 1 - 1 1 1
端子数量 8 - 8 8 8
字数 512 words - 512 words 512 words 512 words
字数代码 512 - 512 512 512
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 70 °C 70 °C
组织 512X8 - 512X8 512X8 512X8
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP - DIP SOP DIP
封装等效代码 SOP8,.25 - DIP8,.3 SOP8,.25 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL - SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/5.5 V - 2/5.5 V 2/5.5 V 2/5.5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm - 5.08 mm 1.75 mm 5.08 mm
串行总线类型 SPI - SPI SPI SPI
最大待机电流 0.00015 A - 0.00015 A 0.00015 A 0.00015 A
最大压摆率 0.003 mA - 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES - NO YES NO
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm - 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 3.9 mm - 7.62 mm 3.9 mm 7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms - 10 ms 10 ms 10 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches 1 - 1 1 1

 
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