NPN Silicon RF Transistor (For power amplifier in DECT and PCN systems)
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | SIEMENS |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.15 A |
| 基于收集器的最大容量 | 2.5 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 12 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最高频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 5500 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| BFP136W | BFP136 | Q62702-F1575 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | NPN Silicon RF Transistor (For power amplifier in DECT and PCN systems) | NPN Silicon RF Transistor (For power amplifier in DECT and PCN systems) | NPN Silicon RF Transistor (For power amplifier in DECT and PCN systems) |
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