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SRP600J

产品描述6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小44KB,共2页
制造商GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors )
官网地址http://www.vishay.com/
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SRP600J概述

6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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SRP600A THRU SRP600K
FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER
Reverse Voltage -
50 to 800 Volts
Case Style P600
Forward Current -
6.0 Amperes
FEATURES
Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
High surge current capability
Construction utilizes void-free molded plastic technique
Fast switching for high efficiency
High temperature soldering guaranteed:
250°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length,
5 lbs. (2.3kg) tension
1.0 (25.4)
MIN.
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
0.360 (9.1)
0.340 (8.6)
MECHANICAL DATA
0.052 (1.32)
0.048 (1.22)
DIA.
1.0 (25.4)
MIN.
Case:
Void-free molded package body
Terminals:
Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity:
Color band denotes cathode end
Mounting Position:
Any
Weight:
0.07 ounce, 2.1 grams
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOLS
SRP
600A
SRP
600B
SRP
600D
SRP
600G
SRP
600J
SRP
600K
UNITS
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375" (9.5mm) lead length at T
A
=55°C
Peak forward surge current
8.3ms single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Maximum instantaneous forward voltage at 6.0A
Maximum DC reverse current
at rated DC blocking voltage
Maximum reverse recovery time
(NOTE 1)
Typical junction capacitance
(NOTE 2)
Typical thermal resistance
(NOTE 3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
6.0
400
280
400
600
420
600
800
560
800
Volts
Volts
Volts
Amps
I
FSM
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
ΘJA
T
J
T
ST
G
100
100
150
300.0
1.3
10.0
1.0
150
300.0
10.0
-50 to +125
-50 to +150
200
200
Amps
Volts
µA
mA
ns
pF
°C/W
°C
°C
NOTES:
(1) Reverse recovery test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A
(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
(3) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375” (9.5mm) lead length, with both leads equally to heat sink
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