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MURS140_12

产品描述2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小89KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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MURS140_12概述

2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA

2 A, 600 V, 硅, 整流二极管, DO-214AA

MURS140_12规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式C BEND
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
应用EFFICIENCY
相数1
反向恢复时间最大0.0750 us
最大重复峰值反向电压600 V
最大平均正向电流2 A
最大非重复峰值正向电流35 A

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MURS140, MURS160
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier
FEATURES
• Glass passivated pellet chip junction
• Ideal for automated placement
• Ultrafast reverse recovery time
• Low switching losses, high efficiency
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °C
SMB
(DO-214AA)
• AEC-Q101 qualified available
- Automotive ordering code: base P/NHE3
• Material categorization: for definitions of compliance
please see
www.vishay.com/doc?99912
TYPICAL APPLICATIONS
PRIMARY CHARACTERISTICS
I
F(AV)
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
max.
Package
Circuit configurations
1.0 A
400 V, 600 V
35 A
50 ns
1.05 V
175 °C
DO-214AA (SMB)
Single
For use in high frequency rectification and freewheeling
application in switching mode converters and inverters for
consumer, computer, and telecommunication.
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AA (SMB)
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade
Base P/NHE3_X - RoHS-compliant, AEC-Q101 qualified
(“_X” denotes revision code e.g. A, B,.....)
Terminals:
matte tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD 22-B102
E3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test, HE3 suffix
meets JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
color band denotes cathode end
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted)
PARAMETER
Device marking code
Maximum repetitive peak reverse voltage
Working peak reverse voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current at (Fig. 1)
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Operating junction and storage temperature range
T
L
= 150 °C
T
L
= 125 °C
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
T
J
, T
STG
SYMBOL
MURS140
MG
400
400
400
1.0
2.0
35
-65 to +175
°C
A
MURS160
MJ
600
600
600
V
UNIT
Revision: 20-Feb-15
Document Number: 88688
1
For technical questions within your region:
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT
www.vishay.com/doc?91000

MURS140_12相似产品对比

MURS140_12 MURS140HE3/52T
描述 2 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AA
端子数量 2 2
元件数量 1 1
表面贴装 Yes YES
端子形式 C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
应用 EFFICIENCY EFFICIENCY
相数 1 1
最大重复峰值反向电压 600 V 400 V
最大非重复峰值正向电流 35 A 35 A
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