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BF822W

产品描述KPSE 07 CLASS E 10#20 L/C
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小55KB,共8页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BF822W概述

KPSE 07 CLASS E 10#20 L/C

BF822W规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.05 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)50
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)60 MHz

BF822W相似产品对比

BF822W BF820W
描述 KPSE 07 CLASS E 10#20 L/C KPSE 07 CLASS E 10#20 L/C
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.05 A 0.05 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 50 50
JESD-609代码 e0 e3
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.2 W 0.2 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
标称过渡频率 (fT) 60 MHz 60 MHz
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