600V N-Channel MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Fairchild |
| 零件包装代码 | TO-262 |
| 包装说明 | I2PAK-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 雪崩能效等级（Eas） | 420 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 147 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 28 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| SSI7N60B | SSW7N60 | SSW7N60B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 600V N-Channel MOSFET | 600V N-Channel MOSFET | 600V N-Channel MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Fairchild | - | Fairchild |
| 零件包装代码 | TO-262 | - | TO-263 |
| 包装说明 | I2PAK-3 | - | D2PAK-3 |
| 针数 | 3 | - | 3 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli |
| 雪崩能效等级（Eas） | 420 mJ | - | 420 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | - | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 7 A | - | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7 A | - | 7 A |
| 最大漏源导通电阻 | 1.2 Ω | - | 1.2 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | - | TO-263AB |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | - | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 3 | - | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | - | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 147 W | - | 147 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 28 A | - | 28 A |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | - | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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