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IDT70V7519S200DRI

产品描述256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
产品类别存储   
文件大小292KB,共22页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT70V7519S200DRI概述

256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256

IDT70V7519S200DRI规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量256
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.45 V
最小供电/工作电压3.15 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间15 ns
加工封装描述BGA-256
状态ACTIVE
包装形状SQUARE
包装尺寸GRID 阵列, 低 PROFILE
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子涂层锡 铅
端子位置BOTTOM
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度36
组织256K × 36
存储密度9.44E6 deg
操作模式同步
位数262144 words
位数256K
内存IC类型双端口静态随机存储器
串行并行并行

 
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