600V N-Channel MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Fairchild |
零件包装代码 | TO-220F |
包装说明 | TO-220F, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 50 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.7 A |
最大漏极电流 (ID) | 1 A |
最大漏源导通电阻 | 12 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 17 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 3 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
SSS1N60B | SSP1N60 | SSP1N60B | |
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描述 | 600V N-Channel MOSFET | 600V N-Channel MOSFET | 600V N-Channel MOSFET |
厂商名称 | Fairchild | Fairchild | Fairchild |
零件包装代码 | TO-220F | SFM | TO-220AB |
包装说明 | TO-220F, 3 PIN | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | TO-220, 3 PIN |
针数 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 1 A | 1 A | 1 A |
最大漏源导通电阻 | 12 Ω | 12 Ω | 12 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 3 A | 3 A | 3 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
雪崩能效等级(Eas) | 50 mJ | - | 50 mJ |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 0.7 A | - | 1 A |
JESD-609代码 | e3 | - | e3 |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | - | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 (Abs) | 17 W | - | 34 W |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | - | Matte Tin (Sn) |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | - | NOT SPECIFIED |
JEDEC-95代码 | - | TO-220AB | TO-220AB |
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