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IDT70V7519S133DR

产品描述256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
产品类别存储   
文件大小292KB,共22页
制造商IDT(艾迪悌)
官网地址http://www.idt.com/
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IDT70V7519S133DR概述

256K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256

IDT70V7519S133DR规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量256
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大供电/工作电压3.45 V
最小供电/工作电压3.15 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间15 ns
加工封装描述BGA-256
状态ACTIVE
包装形状SQUARE
包装尺寸GRID 阵列, 低 PROFILE
表面贴装Yes
端子形式BALL
端子间距1 mm
端子涂层锡 铅
端子位置BOTTOM
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级INDUSTRIAL
内存宽度36
组织256K × 36
存储密度9.44E6 deg
操作模式同步
位数262144 words
位数256K
内存IC类型双端口静态随机存储器
串行并行并行

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HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36
SYNCHRONOUS
BANK-SWITCHABLE
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
Features:
x
IDT70V7519S
x
x
x
x
x
x
256K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported
SRAM Architecture
64 independent 4K x 36 banks
– 9 megabits of memory on chip
Bank access controlled via bank address pins
High-speed data access
– Commercial: 3.4ns(200MHz)/3.6ns (166MHz)/4.2ns
(133MHz) (max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
x
x
x
x
x
x
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 200MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
– Self-timed write allows fast cycle time
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 166MHz and 133MHz
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball
Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Functional Block Diagram
PL/FT
L
OPT
L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
REPEAT
L
R/W
L
CE
0L
CE
1L
BE
3L
BE
2L
BE
1L
BE
0L
OE
L
PL/FT
R
OPT
R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
REPEAT
R
R/W
R
CE
0R
CE
1R
BE
3R
BE
2R
BE
1R
BE
0R
OE
R
CONTROL
LOGIC
MUX
4Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 0)
MUX
CONTROL
LOGIC
I/O
0L-35L
I/O
CONTROL
MUX
4Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 1)
MUX
I/O
CONTROL
I/O
0R-35R
A
11L
A
0L
BA
5L
BA
4L
BA
3L
BA
2L
BA
1L
BA
0L
ADDRESS
DECODE
ADDRESS
DECODE
A
11R
A
0R
BA
5R
BA
4R
BA
3R
BA
2R
BA
1R
BA
0R
BANK
DECODE
MUX
4Kx36
MEMORY
ARRAY
(BANK 63)
BANK
DECODE
NOTE:
1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM
core instead of the traditional dual-port SRAM core.
As a result, it has unique operating characteristics.
Please refer to the functional description on page 19
for details.
MUX
,
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5618 drw 01
DECEMBER 2002
1
DSC 5618/5
©2002 Integrated Device Technology, Inc.
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