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BF258

产品描述100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共2页
制造商Micro Electronics
官网地址http://www.microelectr.com.hk
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BF258概述

100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD

BF258规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micro Electronics
零件包装代码TO-39
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

BF258相似产品对比

BF258 BF257 BF259
描述 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD 100 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD
厂商名称 Micro Electronics Micro Electronics Micro Electronics
零件包装代码 TO-39 TO-39 TO-39
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 250 V 160 V 300 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 5 W 5 W 5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz
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