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IS61LPD102418B-250B3LI

产品描述Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, TFBGA-165
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文件大小2MB,共33页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS61LPD102418B-250B3LI概述

Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, TFBGA-165

IS61LPD102418B-250B3LI规格参数

参数名称属性值
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明TBGA,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间2.6 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B165
长度15 mm
内存密度18874368 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量165
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度13 mm

IS61LPD102418B-250B3LI相似产品对比

IS61LPD102418B-250B3LI IS61LPD102418B-250B3I
描述 Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, TFBGA-165 Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, TFBGA-165
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明 TBGA, TBGA,
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 2.6 ns 2.6 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B165 R-PBGA-B165
长度 15 mm 15 mm
内存密度 18874368 bit 18874368 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 18 18
功能数量 1 1
端子数量 165 165
字数 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 1MX18 1MX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TBGA TBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE GRID ARRAY, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL
端子节距 1 mm 1 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
宽度 13 mm 13 mm

 
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