Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, TFBGA-165
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
包装说明 | TBGA, |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 2.6 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
长度 | 15 mm |
内存密度 | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 18 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 165 |
字数 | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 1MX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 13 mm |
IS61LPD102418B-250B3LI | IS61LPD102418B-250B3I | |
---|---|---|
描述 | Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, TFBGA-165 | Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, TFBGA-165 |
厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
包装说明 | TBGA, | TBGA, |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 2.6 ns | 2.6 ns |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | R-PBGA-B165 |
长度 | 15 mm | 15 mm |
内存密度 | 18874368 bit | 18874368 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
内存宽度 | 18 | 18 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 165 | 165 |
字数 | 1048576 words | 1048576 words |
字数代码 | 1000000 | 1000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 1MX18 | 1MX18 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA | TBGA |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 3.465 V | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.135 V | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | BALL | BALL |
端子节距 | 1 mm | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
宽度 | 13 mm | 13 mm |
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