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1812C0G682KHST

产品描述Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, C0G, -/+30ppm/Cel TC, 0.0068uF, 1812
产品类别无源元件    电容器   
文件大小133KB,共2页
制造商TSC Electronics Ltd
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1812C0G682KHST概述

Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, C0G, -/+30ppm/Cel TC, 0.0068uF, 1812

1812C0G682KHST规格参数

参数名称属性值
厂商名称TSC Electronics Ltd
包装说明, 1812
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
电容0.0068 µF
电容器类型CERAMIC CAPACITOR
介电材料CERAMIC
高度1.9 mm
长度4.5 mm
制造商序列号1812(50V)
负容差10%
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装形式SMT
包装方法TR
正容差10%
额定(直流)电压(URdc)50 V
系列1812(50V)
尺寸代码1812
温度特性代码C0G
温度系数-/+30ppm/Cel ppm/°C
宽度3.2 mm

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4
Ceramic Chip Capacitors
n
NPO & COG Dielectric
Application
CERAMIC
DIELECTRIC
TERMINATION
NPO (COG) dielectric properties suiter for precision circuits,
requiring stable dielectric characteristics:
* Negligible dependence of capacitance and dissipation
factor on time, voltage, and frequency
* Low-loss (High Q)
* Predictable linear temperature coefficient
* No Piezoelectric behavior
General Specification
• Operating temperature range -55°C ~ +125°C
• Capacitance Range: 10pF ~ 0.01uF
• Capacitance Tolerance: ±0.25pF, ±0.5pF, ±5%, ±10%
• Voltage Ratings, 50VDC, 100VDC, 200VDC
• Dissipation Factor (1 KHz, or MHz, 1 Vrms, 25°C) 0.15%
Max
• Insulation Resistance (rated voltage applied at 25°C)
100,000 megohms or 1,000 Ohm-Farads min.
• Dielectric strength > 2.5X WV. DC.
INTERNAL
ELECTRODE
C, D.F. vs. Frequency Coefficient
0.2
+0.2
C, vs. Voltage Coefficient
%
Capacitance
1.0
0
-1.0
-2.0
2
3
4
5
6
0.1
0 % D.F.
%
Capacitance
+0.1
0
-0.1
-0.2
-0.1
-0.2
10
10
10
10
10
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Frequency
DC. Volts Applied
Insulation Resistance vs. Temp
Insulation Resistance (Ohm-Farads)
10,000
0.4
0.2
C,D.F. vs. Temperature Coefficient
.10
Typical TC
%
Capacitance
1,000
C
.08
0
.06
-0.2
-0.4
.04
DF
.02
100
10
+10 +20
+25
+40
+60
+80
+100
+150 +200
-50
-25
0
+25
+50
+75
+100
125
Temperature °C
Temperature °C
2-4
TSC Electronics, Ltd.
Tel: (310) 534-2738 • Fax: (310) 534-3216 • http://www.tscgroup.com
% D.F.
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