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MMBTA42LT1

产品描述RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小25KB,共3页
制造商Tiger Electronic Co.,Ltd.
官网地址http://www.tgselec.com/
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MMBTA42LT1概述

RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

射频小信号晶体管

MMBTA42LT1规格参数

参数名称属性值
状态ACTIVE
晶体管类型RF SMALL SIGNAL

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TIGER ELECTRONIC CO.,LTD
MMBTA42LT1
NPN EPITACIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
High Voltage Transistor
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................... -55~+150°C
Junction Temperature..................................................................................... +150°C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................................................................... 250 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)
VCBO Collector to Base Voltage ....................................................................................... 300 V
VCEO Collector to Emitter Voltage .................................................................................... 300 V
VEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 6.0 V
IC Collector Current ........................................................................................................ 500 mA
Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)
VBE(sat)
hFE1
hFE2
hFE3
fT
Cob
Min.
300
300
6
-
-
-
-
25
40
40
50
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
100
500
900
-
-
-
-
3
Unit
V
V
V
nA
nA
mV
mV
Test Conditions
IC=100uA
IC=1mA
IE=10uA
VCB=200V
VEB=6V
IC=20mA, IB=2mA
IC=20mA, IB=2mA
IC=1mA, VCE=10V
IC=10mA, VCE=10V
IC=30mA, VCE=10V
IC=10mA, VCE=20V, f=100MHz
VCB=20V, f=1MHz
MHz
pF
TIGER ELECTRONIC CO.,LTD
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