8-Input NAND Gate
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| 系列 | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 19.43 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 1 |
| 输入次数 | 8 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 电源 | 2/6 V |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 42 ns |
| 传播延迟（tpd） | 42 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MM74HC30J | MM54HC30 | MM54HC30J | MM74HC30 | MM74HC30N | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 8-Input NAND Gate | 8-Input NAND Gate | 8-Input NAND Gate | 8-Input NAND Gate | 8-Input NAND Gate |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） | - | National Semiconductor（TI ） |
| 包装说明 | DIP, DIP14,.3 | - | DIP, DIP14,.3 | - | DIP, DIP14,.3 |
| Reach Compliance Code | compli | - | unknow | - | unknow |
| 系列 | HC/UH | - | HC/UH | - | HC/UH |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | - | R-GDIP-T14 | - | R-PDIP-T14 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | - | e0 |
| 长度 | 19.43 mm | - | 19.43 mm | - | 19.18 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | - | 50 pF | - | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | - | NAND GATE | - | NAND GATE |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | - | 1 |
| 输入次数 | 8 | - | 8 | - | 8 |
| 端子数量 | 14 | - | 14 | - | 14 |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 125 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -55 °C | - | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | CERAMIC, GLASS-SEALED | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | - | DIP | - | DIP |
| 封装等效代码 | DIP14,.3 | - | DIP14,.3 | - | DIP14,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | - | IN-LINE | - | IN-LINE |
| 电源 | 2/6 V | - | 2/6 V | - | 2/6 V |
| 传播延迟（tpd） | 42 ns | - | 49 ns | - | 42 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 施密特触发器 | NO | - | NO | - | NO |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | - | 5.08 mm | - | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 6 V | - | 6 V | - | 6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2 V | - | 2 V | - | 2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | - | NO | - | NO |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | MILITARY | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | - | DUAL |
| 宽度 | 7.62 mm | - | 7.62 mm | - | 7.62 mm |
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