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MM5Z9V1

产品描述9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小120KB,共4页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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MM5Z9V1概述

9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

9.1 V, 0.2 W, 硅, 单向电压稳压二极管

MM5Z9V1规格参数

参数名称属性值
厂商名称SECOS
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99

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Surface Mount Zener Diode
MM5Z Series
RoHS Compliant Product
A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free
Elect ri cal Ch aract erist ics (T
A
= 25
O
C unless otherwise specified)
Zener Voltage Range (Note 2)
100mW, SOD-523
Maximum
Reverse Current
(Note 2)
Temperature
Coefficient of
Zener Voltage
@ I
ZT
=
10
mA
mV /
Type
Number
Marking
Code
Min
V
2.2
2.5
2.8
3.1
3.4
3.7
4.0
4.4
4.8
5.2
5.8
6.4
7.0
7.7
8.5
9.4
10.4
11.4
12.4
13.8
15.3
16.8
18.8
20.8
22.8
25.1
28.0
31.0
34.0
37.0
40.0
44.0
48.0
Maximum
Zener Impedance (Note 3)
Z
ZT
@I
ZT
100
100
95
95
90
90
90
80
60
40
10
15
15
15
15
20
20
25
30
30
40
45
55
55
70
80
80
80
90
130
150
170
180
MM5Z2V4
MM5Z2V7
V7
MM5Z3V0
V0
MM5Z3V3
MM5Z3V6
MM5Z3V9
MM5Z4V3
MM5Z4V7
MM5Z5V1
MM5Z5V6
MM5Z6V2
MM5Z6V8
MM5Z7V5
MM5Z8V2
V2
MM5Z9V1
MM5Z10V
MM5Z11V
MM5Z12V
MM5Z13V
MM5Z15V
MM5Z16V
MM5Z18V
MM5Z20V
MM5Z22V
MM5Z24V
MM5Z27V
MM5Z30V
MM5Z33V
MM5Z36V
MM5Z39V
MM5Z43V
i
MM5Z47V
MM5Z51V
Z11
Z12
Z13
Z14
Z15
Z16
Z17
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
Y1
Y2
Y3
Y4
Y5
Y6
Y7
Y8
Y9
Y10
Y11
Y12
Y13
Y14
Y15
Y16
Y17
V
Z
Nom
V
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
Max
V
2.6
2.9
3.2
3.5
3.8
4.1
4.6
5.0
5.4
6.0
6.6
7.2
7.9
8.7
9.6
10.6
11.6
12.7
14.1
15.6
17.1
19.1
21.2
23.3
25.6
28.9
32.0
35.0
38.0
41.0
46.0
50.0
54.0
@I
ZT
mA
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
Z
ZK
@I
ZK
mA
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
600
1.0
500
1.0
480
1.0
400
1.0
150
1.0
80
1.0
80
1.0
80
1.0
100
1.0
150
1.0
150
1.0
150
1.0
170
1.0
200
1.0
200
1.0
225
1.0
225
1.0
250
1.0
250
1.0
300
0.5
300
0.5
325
0.5
350
0.5
350
0.5
375
0.5
375
0.5
500
0.5
I
R
@ V
R
µA
V
1.0
50
20
1.0
1.0
10
1.0
5.0
1.0
5.0
1.0
3.0
1.0
3.0
2.0
3.0
2.0
2.0
2.0
1.0
4.0
3.0
4.0
2.0
5.0
1.0
5.0
0.7
6.0
0.5
7.0
0.2
8.0
0.1
8.0
0.1
8.0
0.1
10.5
0.1
11.2
0.1
12.6
0.1
14.0
0.1
15.4
0.1
16.8
0.1
18.9
0.1
21.0
0.1
23.1
0.1
25.2
0.1
27.3
0.1
30.1
0.1
32.9
0.1
35.7
0.1
Min
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-3.5
-2.7
-2.0
0.4
1.2
2.5
3.2
3.8
4.5
5.4
6.0
7.0
9.2
10.4
12.4
14.4
16.4
18.4
21.4
24.4
27.4
30.4
33.4
10.0
10.0
10.0
Max
0
0
0
0
0
0
0
0.2
1.2
2.5
3.7
4.5
5.3
6.2
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
13.0
14.0
16.0
18.0
20.0
22.0
25.3
29.4
33.4
37.4
41.2
12.0
12.0
12.0
Notes: 1. Valid provided that device terrminals are kept at ambient temperature.
2. Test with pulses. period = 5 ms, pulse width = 300 µs
3. f = 1 K Hz
Maximum Ratings @ T
A
= 25
Characteristic
Power Dissipation (Note 1),
Derate above 25
Forward Voltage (Note 2) @ I
F
= 10 mA
Thermal Resistance from Junction to Ambient (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.
2. Short duration test pulse used in minimize self-heating effect.
3. f = 1 K Hz
http://www.SeCoSGmbH.com/
01-Jun-2002 Rev. A
Symbol
P
d
V
F
R
JA
T
j
, T
STG
Value
100
1.5
0.9
625
-65 ~ +150
Unit
mW
mW /
V
/W
Any changing of specification will not be informed individual
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