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MJD32C

产品描述3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小577KB,共4页
制造商MCC
官网地址http://www.mccsemi.com
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MJD32C概述

3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

3 A, 100 V, PNP, 硅, 功率晶体管

MJD32C规格参数

参数名称属性值
端子数量2
晶体管极性PNP
最大集电极电流3 A
最大集电极发射极电压100 V
加工封装描述DPAK-3
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接COLLECTOR
元件数量1
晶体管应用放大器
晶体管元件材料
最大环境功耗1.56 W
晶体管类型通用电源
最小直流放大倍数10
额定交叉频率3 MHz

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MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
MJD32C
Features
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates RoHS
Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisture Sensitivity Level 1
Electrically similar to popular TIP32 Series
Designed for general purpose amplifier and low speed switching
applications.
o
Maximum Thermal Resistance:
100
C/W Junction to
Ambient
Rating
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current-Continuous
Collector Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
O
Silicon
PNP epitaxial planer
Transistors
Maximum Ratings @ 25
O
C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
STG
Rating
-100
-100
-5
-3
1.25
150
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
W
C
DPAK
J
H
1
O
2
I
3
M
F
E
Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified
Symbol
V
(BR)CEO
V
(BR)CBO
V
(BR)EBO
I
CEO
I
CES
I
EBO
h
FE
Parameter
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
=-30mAdc, I
B
=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=-1mAdc, I
E
=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=-1mAdc, I
C
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=-60Vdc, I
B
=0)
Collector Cutoff Current
(V
CE
=-100Vdc, V
EB
=0)
Emitter Cutoff Current
(V
EB
=-5Vdc, I
C
=0)
DC Current Gain
(I
C
=-1Adc, V
CE
=-4Vdc)
(I
C
=-3Adc, V
CE
=-4Vdc)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=-3Adc, I
B
=-0.375Adc) (note 1)
Base-Emitter Voltage
(I
C
=-3Adc, V
CE
=-4Vdc ) (note 1)
Transition frequency
(V
CE
=-10Vdc,I
C
=-0.5Adc,f
T
=1KHz)
Min
-100
-100
-5
---
---
---
25
10
---
---
3
Typ
---
---
---
---
---
---
---
---
---
-
---
---
Max
---
---
---
-50
-20
-1
---
50
Units
Vdc
K
V
G
Vdc
Vdc
Q
uAdc
uAdc
mAdc
L
B
PIN 1.
PIN 2.
PIN 3.
DIMENSIONS
A
D
BASE
COLLECTOR
EMITTER
V
CE(sat)
V
BE(on)
-1.2
-1.8
---
Vdc
Vdc
MH
Z
f
T
Note:
1.
Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
O
Q
V
INCHES
MIN
MAX
0.087
0.094
0.000
0.005
0.026
0.034
0.018
0.023
0.256
0.264
0.201
0.215
0.190
0.236
0.244
0.086
0.094
0.386
0.409
0.114
0.055
0.067
0.063
0.043
0.051
0.000
0.012
0.211
MM
MIN
2.20
0.00
0.66
0.46
6.50
5.10
4.83
6.00
2.18
9.80
6.20
2.39
10.40
MAX
2.40
0.13
0.86
0.58
6.70
5.46
NOTE
2.90
1.40
1.60
1.10
0.00
1.30
0.30
1.70
5.35
www.mccsemi.com
Revision:
A
1 of
4
2011/01/01

 
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