电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

BDP951

产品描述NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共4页
制造商SIEMENS
官网地址http://www.infineon.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BDP951概述

NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)

BDP951规格参数

参数名称属性值
厂商名称SIEMENS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.8 V
Base Number Matches1

BDP951相似产品对比

BDP951 BDP953 BDP955 Q62702-D1343 Q62702-D1341 Q62702-D1339
描述 NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain) NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 127  717  747  1072  1257 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved