Flash Module, 512KX8, 150ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | CONFIGURABLE AS 128K X 32 |
备用内存宽度 | 16 |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P66 |
长度 | 30.1 mm |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | FLASH MODULE |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 524288 words |
字数代码 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 512KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
编程电压 | 12 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 6.22 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
宽度 | 30.1 mm |
WF128K32N-150HI | WF128K32N-120HI | WF128K32N-120HM | WF128K32N-150HM | |
---|---|---|---|---|
描述 | Flash Module, 512KX8, 150ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Flash Module, 512KX8, 120ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Flash Module, 512KX8, 120ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | Flash Module, 512KX8, 150ns, CPGA66, 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
包装说明 | 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 | 1.185 X 1.185 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 150 ns | 120 ns | 120 ns | 150 ns |
其他特性 | CONFIGURABLE AS 128K X 32 | CONFIGURABLE AS 128K X 32 | CONFIGURABLE AS 128K X 32 | CONFIGURABLE AS 128K X 32 |
备用内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P66 | S-CPGA-P66 | S-CPGA-P66 | S-CPGA-P66 |
长度 | 30.1 mm | 30.1 mm | 30.1 mm | 30.1 mm |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | FLASH MODULE | FLASH MODULE | FLASH MODULE | FLASH MODULE |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 66 | 66 | 66 | 66 |
字数 | 524288 words | 524288 words | 524288 words | 524288 words |
字数代码 | 512000 | 512000 | 512000 | 512000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 125 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -55 °C | -55 °C |
组织 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 | 512KX8 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA | PGA | PGA | PGA |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
编程电压 | 12 V | 12 V | 12 V | 12 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 6.22 mm | 6.22 mm | 6.22 mm | 6.22 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | MILITARY | MILITARY |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR |
宽度 | 30.1 mm | 30.1 mm | 30.1 mm | 30.1 mm |
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