DDR DRAM, 64MX9, 20ns, CMOS, PBGA144, UBGA-144
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Micron Technology |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | UBGA-144 |
针数 | 144 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 20 ns |
其他特性 | AUTO REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 300 MHz |
I/O 类型 | SEPARATE |
交错的突发长度 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B144 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 18.5 mm |
内存密度 | 603979776 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 9 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 144 |
字数 | 67108864 words |
字数代码 | 64000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 64MX9 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TBGA |
封装等效代码 | BGA144,12X18,40/32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
电源 | 1.5/1.8,1.8,2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
连续突发长度 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.005 A |
最大压摆率 | 0.53 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子面层 | Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 11 mm |
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