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MT49H64M9CFM-33:B

产品描述DDR DRAM, 64MX9, 20ns, CMOS, PBGA144, UBGA-144
产品类别存储    存储   
文件大小3MB,共74页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT49H64M9CFM-33:B概述

DDR DRAM, 64MX9, 20ns, CMOS, PBGA144, UBGA-144

MT49H64M9CFM-33:B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明UBGA-144
针数144
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间20 ns
其他特性AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)300 MHz
I/O 类型SEPARATE
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B144
JESD-609代码e0
长度18.5 mm
内存密度603979776 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织64MX9
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TBGA
封装等效代码BGA144,12X18,40/32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源1.5/1.8,1.8,2.5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.005 A
最大压摆率0.53 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度11 mm
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